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等離子刻蝕中影響氮化矽側壁蝕刻傾斜度的參數有哪些?_妖精视频大全免费電子
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    等離子刻蝕中影響氮化矽側壁蝕刻傾斜度的參數有哪些?

    返回列表 來源:妖精视频大全免费 瀏覽: 發布日期:2019-09-18 15:41【
    文章導讀:在晶圓製造領域,使用等離子刻蝕不僅可以“吃掉”上層的光刻膠,也可以“吃掉”氮化矽薄膜, 形成一定的側壁蝕刻傾斜度。
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    等離子刻蝕工藝在半導體集成電路中,既能夠刻蝕上表層的光刻膠,也能夠刻蝕基層的氮化矽層,不僅如此還需要防止其對矽襯底造成刻蝕損害,從而造成器件暗電流增大,影響產品良率,為達到這諸多條件的工藝要求。等離子刻蝕工藝能夠通過對真空妖精视频一区二区三区视频設備的部分參數調整,形成一些氮化矽層的特殊形貌,即側壁蝕刻傾斜度。
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    側壁蝕刻傾斜度的優勢在於,當具有一定程度的傾斜度時,可以有效降低金屬鍍膜層在階梯覆蓋時出現斷裂的幾率,以及改善集成電路中工藝金屬線路內部斷裂的問題。如下所示是氮化矽側壁垂直和具有一定程度的傾斜度的示意圖:
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